北京
金融界 2025 年 5 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市章阁仪器有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN119907256A，申请日期为 2025 年 1 月。
专利摘要显示，本申请公开一种半导体结构及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成第一隔离层，第一隔离层包括依次层叠在半导体衬底上的至少两层子隔离层；在垂直于半导体衬底的方向上，在特定的刻蚀条件下，离半导体衬底最远的子隔离层的刻蚀速率小于其他子隔离层的刻蚀速率；在第一隔离层上依次沉积形成栅极层和第二隔离层；形成贯穿第二隔离层、栅极层和第一隔离层的沟槽，其中，在沟槽贯穿第一隔离层的部分中，位于第一隔离层远离半导体衬底的端面部位的沟槽尺寸最小。本申请能够在刻蚀后使沟槽底部的倒梯形结构得到优化，降低了电阻，还提高了栅极对沟道的控制能力，从而增加了晶体管的饱和电流，进而使晶体管的性能得到提升。
天眼查资料显示，深圳市章阁仪器有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市章阁仪器有限公司参与招投标项目24次，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可129个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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