北京
金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备”的专利，公开号CN119890016A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备。该离子束检测装置，包括离子束偏转单元、第一法拉第检测单元和处理单元。离子束偏转单元具有离子束传输通道，用于控制离子束传输通道内的离子束沿目标方向出射。第一法拉第检测单元位于离子束偏转单元出射离子束的一侧，用于沿第二方向往复运动，并获取目标方向与第一方向相同时至少一个检测周期内的第一离子束波形，目标方向相对第一方向偏转时至少一个检测周期内的第二离子束波形。处理单元与第一法拉第检测单元连接，被配置为：比较第一离子束波形和第二离子束波形的波形差异，以根据波形差异确定离子束的真实注入能量。本申请用于准确测量离子束的真实注入能量。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可16个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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