北京
金融界2025年4月29日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“闪存及其多晶硅间介质层”的专利，公开号CN119893994A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种闪存及其多晶硅间介质层。所述多晶硅间介质层包括：第一氧化硅层，所述第一氧化层覆盖在浮栅多晶硅上；氮化硅层，所述氮化硅层覆盖在所述第一氧化硅层上，致密氧化层，所述致密氧化层覆盖在所述氮化硅层上，所述致密氧化层的上表层渗入氮离子形成渗氮氧化层；第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖在所述渗氮氧化层上，所述第二氧化硅层上覆盖有控制栅多晶硅。本申请提供的闪存及其多晶硅间介质层，可以解决相关技术中存储单元的读“0”操作失效的问题。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2909次，专利信息1620条，此外企业还拥有行政许可117个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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