北京
金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种半导体激光芯片”的专利，公开号CN119864715A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、第一上包覆层、电子阻挡层、第二上包覆层，所述下波导层为光场局域效应增强下波导层；所述光场局域效应增强下波导层为InGaN/GaN超晶格、InGaN/AlGaN超晶格、InGaN/AlInGaN超晶格、InGaN/AlInN超晶格、GaN/AlGaN超晶格、GaN/AlInGaN超晶格的任意一种或任意组合，厚度为10～1000nm。本发明降低光场的内部吸收损耗，抑制激光器的折射率色散，降低高浓度载流子浓度起伏对有效折射率的影响，增强激光器的限制因子、光场局域效应和模式增益。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息465条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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