【硬件资讯】3D XPoint的继承者诞生了？DRAM+内存将商业化！易失性内存不再易失?

新 闻1： DRAM+内存将商业化，采用FeRAM技术，提供DRAM性能和类似SSD的存储功能

Ferroelectric Memory Co. (FMC) 和Neumonda宣布达成战略合作，建立合资企业，联手在德国德累斯顿建造DRAM生产线，将“DRAM+”内存商业化。这是自2009年英飞凌和奇梦达在德国的DRAM工厂关闭后，欧洲地区首次重启存储芯片的生产。

据TomsHardware报道，双方新的合资企业将专注于DRAM+内存，采用FeRAM技术，这是一种将DRAM速度与非易失性数据存储相结合的架构。其采用了铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，代替了传统材料，在提供高性能、保持纳秒级访问时间的同时，可以在没有电力的情况下进行持久存储。

过去的FeRAM内存不能很好地缩小工艺节点，与标准CMOS工艺集成是非常困难的，且成本很高。过去使用锆钛酸铅（PZT）的FeRAM内存具有很大局限性，新方法解决了以往无法扩展到兆字节以上容量的限制，从最多4/8MB提升至Gb-GB级别。现在DRAM+内存能与现有的半导体制造工艺集成，从而实现更高的密度和性能，更接近于常见的DRAM。

FMC与Neumonda已经展示了原型设计，希望共同推进一种新的存储产品，为欧洲半导体产能的更广泛复苏奠定基础，并为高级存储器设计和测试重建一个本地的生态系统。

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看到这东西，我第一反应居然是“傲腾？是你吗？你回来了？”。把不过也并不是完全一样的东西，才消息中看，DRAM+内存确实是血统纯正的内存，只是通过特殊材料令内存不再“易失”，可以较长时间的保存存储内容。与3D XPoint不同，虽然二者都是性能极强接近内存的存储介质，但是DRAM+真的血统太纯粹了，其做大容量应该更困难一些……

新 闻 2： 三星和SK海力士NAND闪存产量的40/29%来自中国大陆，将受美国新关税政策影响

随着美国准备宣布对半导体产品征收新的关税，来自韩国的两大存储器巨头三星和SK海力士的焦虑情绪加重。原因是三星和SK海力士都在中国大陆生产关键的存储半导体，包括DRAM和NAND闪存，尤其是后者。

据TrendForce报道，最近有报告称，中国大陆占全球NAND闪存产量的30%，高于韩国（25%）、日本（20%）和美国（15%）。同时也是全球最大的NAND闪存消费国，消耗了50%的NAND闪存，其中有相当部分是三星和SK海力士为苹果、戴尔电脑和惠普等美国客户生产的芯片，通过零部件和成品的方式运往美国。

随着美国对半导体征收25%的关税，128GB NAND闪存的成本可能会上涨2.5美元，而更高容量的芯片可能会上涨7.5美元。考虑到物流、包装和分销利润等因素，最终产品的单位价格可能会飙升15美元。

调查显示，三星西安工厂和SK海力士大连工厂分别占其各自NAND闪存产能的40%和29%。西安的NAND闪存工厂是三星唯一的海外存储芯片生产厂，也是最大的存储芯片生产基地，总产量最高可达到每月25万片晶圆，是全球单个产能最高的NAND闪存工厂。SK海力士的大连工厂属于子公司Solidigm，原本属于英特尔，现在主要生产用于人工智能（AI）部署的大容量eSSD。

DRAM的情况则有些不一样，因为三星将所有DRAM芯片的生产放在了韩国，而SK海力士在无锡有DRAM工厂，2024年占了其近40%的DRAM产量。从这一点来说，SK海力士受到的影响比三星的要大。

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之前我们一直在谈内存和存储厂商在通过减产等手段进行涨价尝试，而现在看来，它们的理由又多了特朗普这一个。不过，在中国生产和流片的NAND存储颗粒，虽然会受到美关税的影响， 但却不会受到中关税的影响，要是这玩意儿在中国涨价就说不过去了吧？你说是吧？三星、海力士、美光？

新 闻3： SK海力士1cnm DRAM技术取得突破，良品率大幅提升至80%以上

去年8月，SK海力士宣布已成功开发出全球首款采用1cnm（第六代10nm级别）工艺的16Gb DDR5 DRAM，成为全球首家运用1cnm工艺生产DRAM芯片的存储器供应商。新产品不但提升了性能，还能降低功耗。

据Wccftech报道，SK海力士在去年下半年开始了1cnm DRAM芯片的试产工作，初期的良品率为60%，而现在已经提升至80%至90%。在人工智能（AI）浪潮中，采用先进工艺技术制造的DRAM芯片逐渐受到了存储器厂商的重视。凭借1cnm工艺技术取得突破，SK海力士很可能在消费端和数据领域都占据优势，从而超越三星成为DRAM领域的技术领导者。

SK海力士的1cnm DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，运行速率为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，另外能效也提高了9%以上。同时SK海力士在1cnm工艺上进行了设计技术革新，与前一代1β (b) nm工艺相比，生产率提高了30%以上。SK海力士还运用了新材料，并针对EUV适用工艺进行了优化，以确保成本竞争力。按照SK海力士的说法，改用1cnm DDR5 DRAM后，可以为数据中心节省30%以上的电费。暂时还不清楚什么时候进入市场，可能没那么快。

过去几年里，SK海力士逐渐脱颖而出，在HBM领域占据了主导地位。SK海力士已经将下一阶段重点放在了HBM4，预计量产时间也早于竞争对手，差距很可能会继续扩大。SK海力士并不着急扩展1cnm工艺技术，不一定会用于HBM4，有可能等到HBM4E才加入。

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而在大家都在减产想办法涨价的这个时候，SK海力士却带来了良率提升的消息？嗯？不过也能理解的是，海力士这次完成产能突破的1c nm芯片，主要用于高性能数据中心，这种本身附加值就高的产品，提升产能只会更加提升利润，还是期待能看到更多类似的消息吧。

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