北京
北京2025年4月25日/美通社/ -- 作为射频和无线通信设计领域的盛会，EDICON 2025于4月23-24日在北京召开，吸引了国内外领先的射频和设计公司出席。三安作为射频前端芯片制造平台的代表企业，受邀出席并做技术报告，与到场的设计工程师和系统集成商分享当下无线通信市场的应用趋势思考，以及最新的射频工艺进展。
在全球智能手机市场出货增长趋缓的大背景下，消费者对终端的性能需求持续高涨，催生出大约1200亿人民币的射频前端市场，其中本地化AI、5G新应用和模组化趋势都在需求更多更好的射频前端器件。三安凭借在砷化镓材料多年的外延研发经验，持续迭代砷化镓射频工艺能力，支持设计客户在新技术时代的产品升级；以平台化的制造服务能力，从系统层面提升客户设计效率和产品竞争力。
新应用要求智能手机在更高频段中承载更多的数据流量，因此射频前端器件必须具备更高的功放效率和更好的线性度，复杂工况下进一步要求器件具备足够好的顽健性。三安第三代砷化镓HBT工艺HP36/56采用三安自主开发外延，改善电容结构，以提升器件可靠性；在测试条件下，相比前代工艺的功放效率提升约3%，其中HP36为高阶5G应用定向开发了高线性度能力，HP56则是为复杂应用增强了器件的顽健性。
为适应射频前端设计的模组化趋势，三安砷化镓工艺平台提供铜柱工艺以支持器件进行倒装封装，优化射频器件尺寸，提升系统效率；铜柱工艺全面采用激光切割工艺，可以进一步缩小铜柱间隙，为客户未来设计需求储备技术能力。同时，三安提供的滤波器也为客户的高阶模组设计提供支持，采用键合TC-SAW技术路线，具备向1612以下尺寸快速迭代的能力；在封装端采用WLP封装形式，进一步满足模组设计的集成化需求。
三安将持续投入砷化镓材料和射频器件工艺研发，持续关注市场趋势和客户需求，以稳定的供应和质量管理支持客户产品迭代，与行业客户共同推进无线通信技术变革，加速高能效通信网络时代的到来。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
