北京
金融界 2025 年 4 月 24 日消息，国家知识产权局信息显示，北京海瑞克科技发展有限公司申请一项名为“一种关于功率半导体器件 Crss 测量中消除寄生电容影响的方法”的专利，公开号 CN119805150A，申请日期为 2025 年 2 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种关于功率半导体器件 Crss 测量中消除寄生电容影响的方法，包括以下操作步骤：用同轴电缆延长 LCR 表的四个端子将同轴电缆的一端分别接到 Hcur、Hpot、Lcur 和 Lpot 上，另一端接到 PCB 板上；对 LCR 和 SMU 的输出端进行合理的 PCB 设计，将 LCR 的 Hcur 和 Hpot 连接 DUT 的 D 端，Lcur 和 Lpot 连接 DUT 的 G 端，同轴电缆的屏蔽层当做 AC Guard 线连接到 DUT 的 S 端，为通过 DUT 的 Cds 的电流提供返回路径，同时减小 AC Guard 在 PCB 上的布线距离。本发明所述的一种关于功率半导体器件 Crss 测量中消除寄生电容影响的方法，利用同轴电缆的屏蔽层实现 AC Guard 信号的传输，通过 PCB 设计中尽量缩短 AC Guard 线的长度，能够有效提高功率器件静态测试中 Crss 测试的精确度。
天眼查资料显示，北京海瑞克科技发展有限公司，成立于2010年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京海瑞克科技发展有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目236次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息57条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
