北京
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金融界2025年4月23日消息，国家知识产权局信息显示，CK高新材料有限公司申请一项名为“利用磁场的压力传感器”的专利，公开号CN119856039A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明涉及利用磁场的压力传感器。本发明的利用磁场的压力传感器包括：弹性部，其包含具有剩余磁化强度值的磁性材料；电路部，其在磁场发生变化时生成霍尔电压(hall voltage)，当所述弹性部的至少一部分基于外部压力发生变形导致所述电路部上施加的磁场发生变化时，所述电路部感测磁场变化所对应的霍尔电压大小。
本文源自：金融界
作者：情报员
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