北京
金融界 2025 年 4 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，重庆奕能科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 119789482 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，器件包括：体区，与所述沟槽栅的侧壁邻接；外延层，至少部分所述外延层位于所述体区和所述第二表面之间，并与所述沟槽栅和所述体区邻接，其中，所述沟槽包括自所述半导体层的第一表面向第二表面延伸的第一沟槽以及位于所述第一沟槽底部并与所述第一沟槽连通的第二沟槽，所述第二沟槽的截面形状为圆形或椭圆形，所述第二沟槽的至少部分侧壁与所述体区邻接。本申请的半导体器件及其制造方法，通过在第一沟槽底部形成截面形状为圆形或椭圆形的第二沟槽，以及使第二沟槽至少部分与体区邻接，从而提高沟道的长度。
天眼查资料显示，重庆奕能科技有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本640.9775万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆奕能科技有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息2条，专利信息23条。
本文源自：金融界
作者：情报员
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