北京
金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，成都森未科技有限公司申请一项名为“一种超结半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119767723 A，申请日期为 2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种超结半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。上述制备方法包括以下步骤：提供一衬底结构；基于衬底结构的一侧设置耐压区，耐压区包括第一耐压区、第二耐压区。在各第二耐压区的顶部设置第三耐压区、在各第一耐压区的顶部设置第四耐压区；其中，第三耐压区与第二耐压区的导电类型相同，第一耐压区与第四耐压区的导电类型相同。基于各第一耐压区远离衬底结构的一侧设置槽型栅极结构、第二基区；基于各第二基区远离衬底结构的一侧设置第一基区；第二基区与第一基区构成凸台结构。基于各第二耐压区远离衬底结构的一侧设置截止层；截止层与凸台结构间存在预设高度差。本发明能够在不影响器件击穿电压的前提下，改善反向恢复振荡。
天眼查资料显示，成都森未科技有限公司，成立于2017年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1261.0514万人民币，实缴资本1261.0514万人民币。通过天眼查大数据分析，成都森未科技有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息14条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
