北京
金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，天目湖先进储能技术研究院有限公司申请一项名为“一种原位制备氧卤化铋-PVDF基复合固态电解质膜的方法”的专利，公开号 CN 119764551 A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种原位制备氧卤化铋‑PVDF基复合固态电解质膜的方法，首先按照计量比，在加热状态下将铋盐、含有烷基和季铵阳离子的有机卤化物分别溶于有机溶剂，得到溶液1、溶液2，随后按照计量比，将在加热状态下将含有PVDF链 段的聚合物、锂盐溶于含有铋盐的溶液2，得到溶液3，最后在加热状态下将溶液2、溶液3混合反应后，得到复合电解质的前驱体溶液，将复合电解质的前驱体溶液进行涂布并固化，得到复合固态电解质。本发明提出的制备方法解决了氧卤化铋无机填料在聚合物基质中难以均匀分散导致的固态电解质循环性能不足等问题，获得了一种快速制备的氧卤化铋‑PVDF基复合固态电解质膜的制备方法。
天眼查资料显示，天目湖先进储能技术研究院有限公司，成立于2017年，位于常州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本20000万人民币，实缴资本17000万人民币。通过天眼查大数据分析，天目湖先进储能技术研究院有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目95次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息297条，此外企业还拥有行政许可15个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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