北京
金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，普冉半导体(上海)股份有限公司申请一项名为“降低小型存储芯片漏电的方法”的专利，公开号 CN 119763646 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种降低小型存储芯片漏电的方法，属于半导体芯片技术领域。该方法包括：获取待检测芯片对应的当前漏电数据、原始漏电数据以及功能测试数据；根据原始漏电数据、当前漏电数据、预先建立的漏电分析模型以及功能测试数据，确定待检测芯片的漏电点位是否为多晶硅间距；若是，则根据待检测芯片的剖面测量结果，确定待检测芯片中的金属硅化物的当前生长区间是否超出标定生长区间；若是，则对待检测芯片的控制管上原生的第一道氮化硅之外增长的第二道氮化硅进行侧壁加厚，并调整第二道氮化硅的刻蚀量，并对待检测芯片的调整结果进行流片验证，以得到目标调整结果。本申请可以达到抑制存储芯片中两根多晶硅之间普长的金属硅化物侧穿的效果。
天眼查资料显示，普冉半导体(上海)股份有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10560.9735万人民币，实缴资本2610.7884万人民币。通过天眼查大数据分析，普冉半导体(上海)股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息175条，此外企业还拥有行政许可7个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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