北京
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，苏州星中达进出口有限公司申请一项名为“一种TSV硅晶圆的制备方法”的专利，公开号CN 119742275 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种TSV硅晶圆的制备方法，包括如下步骤：S1、沉积刻蚀终止保护层；S2、形成第一光刻层；S3、形成第二光刻层；S4、对上述两层光刻层进行显影，得到第一开口和内径大于第一开口的第二开口；S5、进行第一阶段刻蚀；S6、进行第二阶段刻蚀；S7、进行第三阶段刻蚀；S8、去除硅片上的光刻胶和底部金属层。通过采用较薄的第一光刻层和稍大的第二开口设计，在第一阶段刻蚀时，能使第一光刻层的第一开口消耗至与第二开口一致；在第二阶段刻蚀时，利用第一开口和第二开口能够在继续向下刻蚀硅通孔的同时消除侧壁毛刺。该方法实现了高效率开设硅通孔，有效削减了硅通孔侧壁扇贝纹，改善了侧壁粗糙度，提升了硅通孔晶圆的性能和可靠性。
天眼查资料显示，苏州星中达进出口有限公司，成立于2013年，位于苏州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本230万港元，实缴资本230万港元。通过天眼查大数据分析，苏州星中达进出口有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
