北京
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，青岛佳恩半导体科技有限公司取得一项名为“一种用于GaO二极管制备的籽晶装置”的专利，授权公告号CN 222700467 U，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种用于GaO二极管制备的籽晶装置，属于GaO二极管制备技术领域，该用于GaO二极管制备的籽晶装置包括籽晶生长室、籽晶支架、籽晶生长源以及气体供用机构 所述籽晶生长室为圆柱形容器，所述籽晶支架设置在所述籽晶生长室的内部，所述籽晶支架的顶部放置籽晶；所述籽晶生长源以及所述气体供用机构均设置在所述籽晶生长室的内部，用于提供GaO籽晶生长所需的原料，所述气体供用机构用于向所述籽晶生长室的内部提供生长所需的气体；本实用新型提供一种用于GaO二极管制备的籽晶装置，能够解决现有的籽晶装置无法保证籽晶的均匀生长，导致GaO二极管制备的稳定性差的问题。
天眼查资料显示，青岛佳恩半导体科技有限公司，成立于2021年，位于青岛市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币，实缴资本112.51万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛佳恩半导体科技有限公司专利信息35条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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