北京
金融界2025年4月1日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“单晶硅抛光片COP与加工缺陷的自动识别方法”的专利，公开号CN 119738527 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种单晶硅抛光片COP与加工缺陷的自动识别方法，所属直拉硅单晶技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将硅片等分成角度为30°的12个扇形区域。第二步：将硅片划分成半径分别为zone1直径为0～50mm、zone2直径为50mm～100mm、zone3直径为100mm～150mm的三个环形区域。第三步：根据第一步和第二步划分方式定义出各区的坐标界限。第四步：根据颗粒检测的坐标文件，将所有Defect归属到各区域。第五步：对各区域Defect数量进行计数。第六步：对各区域Defect数量去掉最大值和最小值后分别算出Zone1、Zone2、Zone3的均值和标准差。第七步：判断某个Zone为COP模式的标准为标准差/均值<0.20，反之则为加工缺陷。解决实际生产中失效模式识别困难与产品处置不当的问题。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币，实缴资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息321条，此外企业还拥有行政许可17个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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