碳化硅赛道新势力！爱仕特如何用定制化方案赢得市场先机？

来源：《变频器世界》

在当前半导体行业整体面临挑战的背景下，功率半导体领域却凭借其独特的市场定位和应用领域的不断拓展，展现出了稳健的增长态势。特别是随着新能源汽车以及光伏产业的一路狂奔，功率半导体的市场规模在半导体行业整体下滑的大趋势下逆势生长，业绩在一众半导体公司中显得非常亮眼。

中国作为全球最大的功率半导体消费市场，其市场规模持续扩大，对全球功率半导体市场的贡献日益显著。根据Omida的数据预测，未来几年全球及中国功率半导体市场规模将持续增长，展现出强劲的发展潜力。

值得注意的是，第三代半导体产业的快速发展也为功率半导体市场带来了新的机遇。与第一代和第二代半导体相比，第三代半导体具有更高的能量转换效率和更低的能耗，因此在新能源汽车、智能电网等领域具有广泛的应用前景。国内外功率器件企业纷纷布局第三代半导体领域，通过提升产品性能和拓展市场空间来抢占市场先机。

2025年，中国功率半导体市场无疑将处于一个充满机遇与挑战并存的关键时期。随着全球对可再生能源和高效能源利用的重视程度日益提升，功率半导体作为能源转换与控制的核心器件，其市场需求必将呈现出强劲的增长态势。

为了更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，分享行业领军企业的成功经验，共同展望2025年的美好前景，《变频器世界》策划了《2025年，功率半导体的机会在哪里？》专题报道。

本期嘉宾是深圳爱仕特科技有限公司营销总监宋浩。

变频器世界：2024年，贵公司推出了哪些富有竞争力的功率器件产品或者解决方案？他们的竞争力体现在哪些方面？

宋浩：2024年，爱仕特科技在碳化硅（SiC）功率器件领域推出了多项创新产品和解决方案，进一步巩固了行业领先地位。
首先，LPD系列超低电感碳化硅功率模块的发布是年度重要突破。该模块采用三相全桥设计，集成1200V碳化硅MOSFET和高精度热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作频率高达30kHz，输出功率突破300kW，适用于电动汽车、光伏逆变器等高频高效场景。其性能显著优于国内外同类产品，性价比突出，成为新能源领域的关键组件。
其次，3300V/60A碳化硅MOSFET的规模化量产填补了国内技术空白。该器件耐压高达3300V以上，导通电阻仅58mΩ，支持175℃高温工作，具备低开关损耗和高频特性，在新能源汽车、轨道交通等领域显著提升了系统效率与功率密度，降低了整车成本和散热设计难度。
此外，爱仕特还推出了62mm/34mm工业标准封装碳化硅模块，突破硅基IGBT的功率密度极限。该模块采用全焊片工艺和对称环流设计，寄生参数极低，支持250kW以上中高功率应用，兼容主流接口，可快速替换传统方案，广泛应用于储能、充电桩和工业电源领域，助力系统小型化和轻量化。
这些产品的竞争力体现在材料革新（碳化硅的高耐压、低损耗特性）、技术领先（如超低电感封装、高集成度设计）以及成本优势（高性价比替代进口方案），同时覆盖从650V至3300V的全电压范围，满足多样化市场需求。

变频器世界：请分享下贵公司在新能源领域和汽车领域的布局，以及产品的技术优势和市场表现。

宋浩：爱仕特科技以碳化硅（SiC）功率器件为核心，深度布局新能源汽车全产业链，覆盖三电系统、充电设施及车载电源等关键领域，提供高可靠性、高效率的功率芯片及模块解决方案。

汽车领域布局及产品技术优势：

1.电机控制器：推出HPD/DCS12/MD3/LPD系列车规级碳化硅功率模块，适配不同功率等级需求。其中，HPD系列采用全桥集成设计，支持1200V耐压和300kW输出，优化电驱系统的能量转换效率，助力整车续航提升。模块内置高精度热管理单元，可在-40℃至175℃宽温域稳定运行，满足严苛车规要求。

2.直流充电器电源模块：推出TO-247系列SiC MOSFET和MEP系列碳化硅功率模块，基于SiC芯片技术，实现超高功率密度（如MEP模块支持800V高压平台，充电效率＞98%），显著缩短充电时间并降低系统体积，已批量应用于头部车企超充桩项目。

3.车载直流变换器：TO-247系列/ TO-263系列SiC MOSFET专为车载DC-DC转换设计，支持双向能量流动，效率达97%以上，适配高压电池平台与低压系统间的电能分配，提升整车能源利用率。

4.车载空调压缩机：D21系列碳化硅驱动模块，采用低损耗拓扑结构，减少压缩机高频工作时的能量浪费，相比传统方案节能15%以上，这不仅提升了电动汽车的续航里程，还降低了运行成本，并显著提升了乘坐的舒适度。

5.市场表现与技术竞争力：

·爱仕特碳化硅模块已进入多家主流车企供应链，覆盖电驱、充电、车载电源等核心场景，产品在头部车企实现规模化应用。

·在充电领域，MEP系列模块凭借高耐压、低损耗特性，成为800V超充桩的核心组件，市场占有率持续攀升。

·技术层面，公司通过车规级SiC芯片定制化设计和多拓扑封装技术（如三相全桥、半桥集成），实现功率密度、效率及可靠性的综合突破，满足ASIL-D功能安全认证要求。

未来，爱仕特将持续拓展碳化硅在高压快充、800V电驱等领域的应用，推动新能源汽车向高效化、轻量化发展，助力全球“双碳”目标实现。

变频器世界：第三代半导体技术目前在许多应用场景都很活跃，展望2025年，贵公司认为行业最大的机会在哪里？贵公司将如何开拓这些市场？

宋浩：展望2025年，第三代半导体技术（以碳化硅、氮化镓为核心）将在高压化、高频化及高能效化场景中迎来爆发式增长，尤其在新能源汽车、可再生能源和工业能源转换领域。爱仕特认为，行业最大的机会源于新能源汽车高压平台的快速普及。随着800V及以上电压架构成为主流，碳化硅器件在电驱系统、超充桩和车载电源中的需求将大幅提升，预计相关市场年复合增长率超过30%。此外，光储充一体化系统的加速落地将进一步依赖碳化硅的高频高效特性，其在降低系统损耗、提升功率密度方面的优势将推动光伏逆变器、储能变流器等关键设备的升级。与此同时，工业领域如氢能装备、轨道交通对大功率、耐高温器件的需求激增，碳化硅技术将成为替代传统硅基方案的核心驱动力。

为把握这些机遇，爱仕特将从技术研发、产能扩张和生态合作三方面发力。技术上，公司将加速第四代SiC MOSFET芯片的量产，突破3300V以上耐压等级并优化动态损耗性能，同时推出新的功率模块产品，简化客户系统设计。产能方面，计划在2025年完成车规级碳化硅模块产线扩产，以满足高压快充、工业变频器等领域的规模化需求。生态合作上，爱仕特将深化与头部车企及能源企业的战略联盟，共同定义下一代高压平台标准，并联合科研机构攻关超结碳化硅、双面散热封装等前沿技术，巩固产业链协同优势。针对细分场景，公司还将推出差异化解决方案，例如面向超充桩的高密度模块、适配新能源汽车的高压DC-DC方案，以及工业变频器专用的低电感封装模块，以精准匹配市场需求。

未来，爱仕特将以全产业链技术能力为依托，持续推动第三代半导体在高效能源转换中的应用，助力全球产业向绿色化、智能化加速转型。

变频器世界：贵公司是如何保证半导体器件品质的，都做了哪些努力？

宋浩：爱仕特的企业精神是“客户至上，品质优先”，我们始终将产品质量视为企业生命线，通过构建全流程质量管理体系确保碳化硅功率器件的高可靠性。在研发阶段，公司采用车规级芯片设计标准，结合仿真建模与极限工况测试，优化SiC MOSFET的抗冲击能力和长期稳定性。生产环节，引入国内外领先的全自动化封装产线，通过精密焊接工艺和真空灌封技术降低器件内部缺陷率，同时严格筛选上游碳化硅晶圆材料，确保芯片基底的高纯度与一致性。测试验证上，所有产品均按照AEC-Q101、AQG-324等车规测试，并完成HTRB（高温反向偏压）、H3TRB（高温高湿反偏）等严苛可靠性实验，模拟极端环境下的性能衰减，保障器件在-40℃至175℃宽温域内的稳定运行。此外，爱仕特实时追踪客户应用数据并迭代工艺，形成“研发-生产-反馈”闭环，持续提升产品良率与寿命。

变频器世界：成本是把双刃剑，贵公司如何看待行业的低价和同质化竞争？贵公司有哪些好的做法和建议？

宋浩：行业低价和同质化竞争是市场发展的必然阶段，面对这样的阶段，爱仕特坚持 “技术差异化+成本精益化”双轮驱动策略。一方面，公司通过垂直整合技术链条降低综合成本——自研第四代SiC芯片技术将晶圆利用率提升20%，提升封装工艺，减少耗材，规模化量产推动单器件成本年均下降15%；另一方面，聚焦高端应用场景开发定制化模块（如800V超充专用系列、高压DC-DC方案），以高频高效、高功率密度等性能优势避开低端红海市场。针对同质化问题，爱仕特强化知识产权布局，已积累申请100余项核心专利，并通过多拓扑封装技术满足客户多样化需求，形成技术壁垒。

对于行业建议，我们认为企业需平衡短期价格竞争与长期技术投入：

·上游协同：联合材料供应商优化碳化硅衬底生长技术，降低原材料成本；

·场景深耕：针对新能源汽车、光储等高速增长领域提供系统级解决方案，提升附加值；

·标准引领：主导或参与行业标准制定，推动高性能器件认证体系完善，以品质差异化突围。

爱仕特将持续以技术创新为核心，通过成本优化与价值创造的双重路径，引领第三代半导体行业向高质量、高效益方向发展。