北京
金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 119694979 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和位于衬底上的栅极结构；在衬底和栅极结构上形成层间介质层；对层间介质层进行刻蚀，在层间介质层内形成凹槽，凹槽位于栅极结构对应位置；在凹槽内形成阻挡结构；对层间介质层和阻挡结构进行刻蚀，形成第一通孔和第二通孔，第一通孔位于栅极结构上且贯穿阻挡结构，第二通孔位于栅极结构至少一侧的衬底上且第二通孔的深度大于第一通孔。阻挡结构位于栅极结构对应位置，延缓了第一通孔对应位置的刻蚀速率，从而有效减少位于衬底上的第二通孔刻蚀完成时，位于栅极结构上的第通孔所在位置发生过刻蚀现象的出现降低造成栅极结构损耗的几率，提升了半导体器件的性能稳定性。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币，实缴资本134000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目245次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息280条，此外企业还拥有行政许可4个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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