北京
金融界2025年3月28日消息，国家知识产权局信息显示，华大半导体（成都）有限公司申请一项名为“改善热载流子效应的电路结构”的专利，公开号CN 119690198 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善了热载流子效应的电路结构，电路结构包括：第一电流镜模块、第二电流镜模块、负载模块及第一电压退化MOS管与第二电压退化MOS管，第一电流镜模块包括第一支路与第二支路，第一支路的输入端与第一电压连接，其输出端通过电流源连接第二电压，第二支路的输入端与第一电压连接，其输出端与第一电压退化MOS管的第一端连接；第二电流镜模块包括第三支路与第四支路，第三支路的输入端与第一电压退化MOS管的第二端连接，其输出端与第二电压连接，第四支路的输入端与第二电压退化MOS管的第一端连接，第四支路的输出端与第二电压连接。通过本发明解决了现有的电流镜电路结构热载流子效应较大的问题。
天眼查资料显示，华大半导体（成都）有限公司，成立于2017年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币，实缴资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，华大半导体（成都）有限公司专利信息18条。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
