金融界2025年3月28日消息,国家知识产权局信息显示,华大半导体(成都)有限公司申请一项名为“改善热载流子效应的电路结构”的专利,公开号CN 119690198 A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本发明提供一种改善了热载流子效应的电路结构,电路结构包括:第一电流镜模块、第二电流镜模块、负载模块及第一电压退化MOS管与第二电压退化MOS管,第一电流镜模块包括第一支路与第二支路,第一支路的输入端与第一电压连接,其输出端通过电流源连接第二电压,第二支路的输入端与第一电压连接,其输出端与第一电压退化MOS管的第一端连接;第二电流镜模块包括第三支路与第四支路,第三支路的输入端与第一电压退化MOS管的第二端连接,其输出端与第二电压连接,第四支路的输入端与第二电压退化MOS管的第一端连接,第四支路的输出端与第二电压连接。通过本发明解决了现有的电流镜电路结构热载流子效应较大的问题。
天眼查资料显示,华大半导体(成都)有限公司,成立于2017年,位于成都市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币,实缴资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析,华大半导体(成都)有限公司专利信息18条。
本文源自:金融界
作者:情报员
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