北京
金融界2025年2月14日消息，国家知识产权局信息显示，成都吉莱芯科技有限公司取得一项名为“一种低动态导通电阻的ESD保护器件”的专利，授权公告号CN 222442153 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种低动态导通电阻的ESD保护器件，包括P+衬底材料区、从下至上依序设置在所述P+衬底材料区表面的N‑缓冲层、N‑外延层、P阱区、P+扩散1区、P+扩散2区以及N+扩散区，该ESD保护器件通过两个槽区电学隔离从左至右依次分为DIODE1单元、DIODE2单元以及NPN单元，所述槽区从上表面延伸至所述P+衬底材料区。该结构通过沟槽区进行电学隔离，击穿电压取决于P+扩散区与Pwell阱区的浓度分布，缩短了电流路径，降低了动态导通电阻，提高了ESD电流泄放能力。另一方面，新结构包括在P+衬底材料上生长N‑缓冲层、N‑外延区，改善了常规低动态导通电阻的ESD保护器件结构的寄生效应的影响。同时，沟槽区起电学隔离作用，减小了器件面积。
天眼查资料显示，成都吉莱芯科技有限公司，成立于2018年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币，实缴资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都吉莱芯科技有限公司专利信息37条。
本文源自：金融界
作者：情报员
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