三星被曝计划在西安升级286层NAND闪存

2月12日，据BusinessKorea报道，三星电子正计划将其在西安的工厂升级至286层（V9）NAND闪存工艺，以应对低迷的市场以及来自中国半导体公司的日益激烈的竞争。

该报道提到，三星自2023年以来一直在推动其西安工厂的主力128层（V6）NAND工艺向236层（V8）工艺线过渡。然而，三星决定更进一步，安装V9工艺线。三星计划在上半年引入该工艺所需的新设备，并力争在下半年建成一条月产能为2000至5000片晶圆的生产线。

此次转型是三星为保持其技术领先地位并确保长期产品竞争力而采取的更广泛战略的一部分，以应对当前市场低迷的局面，并应对来自像长江存储（YMTC）这样的中国半导体公司的日益激烈的竞争，后者最近已开始大规模生产294层NAND闪存。

NAND闪存主要用于固态硬盘（SSD）等领域，层数越多，单位空间存储密度就越大，总存储容量越容易提升。不过，层数并不是决定闪存性能的唯一指标。

三星西安工厂是三星唯一的海外存储芯片生产基地，对三星的全球供应链至关重要，其生产的NAND芯片约占公司总产量的40%，升级至286层NAND工艺预计能扩大该工厂的生产能力。

拜登政府于2023年授予三星“经核实最终用户（VEU）”地位使三星能够在中国生产超过200层的NAND闪存，让三星得以在地缘政治紧张局势下继续在中国进行先进制造。

三星西安工厂三星电子

2022年10月，美国商务部发布出口管制措施，要求向中国出口用于生产18纳米以下DRAM内存的生产设备、128层以上NAND闪存生产设备以及14纳米以下逻辑芯片的设备和技术时，必须获得“推定拒绝”美国政府的许可。2024年12月，美国商务部再次加强了对中国半导体产业的出口管制，将140家中国实体列入实体清单，此前的对象包括长江存储。

三星已宣布，其半导体研究所完成突破性的400层NAND（V10）技术开发，并一直在努力将400层（V10）NAND应用于平泽工厂1号（P1）的量产线，初步量产有望在今年下半年实现。三星上个月公布了去年第四季度的业绩，并表示：“我们计划加快向236层和286层NAND的转型，以确保长期的产品竞争力。”

三星也在准备与SK海力士竞争，后者已宣布量产321层NAND闪存。

据BusinessKorea报道，尽管取得了这些进展，三星预计今年第一季度每月生产42万片NAND芯片，较上一季度减少25%。这一减产反映了当前移动和PC市场需求的下滑，这受到诸如价格上涨和利率上升等经济因素的影响。然而，来自人工智能数据中心等领域的不断增长的需求，促使三星等公司专注于高性能、大容量NAND芯片的生产。

值得注意的是，1月，三星因为预期价格暴跌，为了保护盈利能力而决定减少主要为西安厂的NAND闪存产量，西安工厂的晶圆产量预计将由平均每月20万片晶圆减少至17万片。与此同时，SK海力士则信心蓬勃，计划逐年1增加NAND产量。

据金融时报报道，2024年第四季度，SK海力士的季度利润首次超过了竞争对手三星。

早在2023年初，三星也曾因市场环境恶化削减NAND闪存的产量。其中西安一厂在2022年第四季度的产量为每月12.5万块12英寸晶圆，减至2023年第一季度的11万块，减少了约12%，而西安二厂则从每月14.5万块减少至13.5万块，减少了约7%。

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