北京
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据韩媒ETNews报道，三星电子为应对其12nm级DRAM内存产品在良率和性能上的双重挑战，已决定在改进现有1b nm工艺的同时，从头设计新版1b nm DRAM。该项目名为D1B-P，专注于提升能效和散热表现，采用了与三星第六代V-NAND改进版制程V6P相同的命名逻辑。
尽管三星在2022年和2023年先后宣布其12nm级DDR5 DRAM完成开发与批量生产，但该工艺在LPDDR5x等关键领域未能取得预期成功，导致三星DS部门失去了Galaxy S25系列手机初期内存一供的地位。目前，现有12nm级DRAM工艺的良率仅为60%左右，远低于业界大规模量产所需的80%~90%。
为加速D1B-P项目的进展，三星电子已在2024年底紧急订购了必需设备，预计该制程将于2025年内量产，最早可能在今年2~3季度推出。
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