北京
金融界 2025 年 1 月 20 日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“SOT-MRAM 存储单元及 SOT-MRAM 存储器”的专利，公开号 CN 119317347 A，申请日期为 2023 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提供一种 SOT‑MRAM 存储单元及 SOT‑MRAM 存储器，包括：自旋轨道矩效应层及其上方的磁性隧道结，以及位于自旋轨道矩效应层下方的自旋流增强层/生长辅助层，自旋流增强层与磁性隧道结的位置相对，生长辅助层位于自旋流增强层下方，用于辅助自旋流增强层生长，且生长辅助层具有高于自旋流增强层的电化学势，以便生长辅助层和自旋流增强层的界面处形成界面电场；其中，自旋轨道矩效应层用于产生向磁性隧道结的自由层方向传输的第一自旋流和向自旋流增强层方向传输的第二自旋流；第二自旋流在传输到存在界面电场的界面时，第二自旋流的极化方向发生额外的偏转，与第一自旋流共同对磁性隧道结的自由层的磁矩施加自旋轨道矩。
天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币，实缴资本12036.685556万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目85次，知识产权方面有商标信息10条，专利信息398条，此外企业还拥有行政许可7个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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