北京
金融界2025年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“用于图像传感器的浅沟槽隔离结构及其制造方法、图像传感器”的专利，公开号 CN 119317212 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种用于图像传感器的浅沟槽隔离结构及其制造方法、图像传感器，所述用于图像传感器的浅沟槽隔离结构包括：衬底；位于所述衬底中的浅沟槽；位于所述浅沟槽的侧壁和底部上的第一高K隔离层；位于所述第一高K隔离层上且填满所述浅沟槽的填充介质层。本申请通过在衬底的浅沟槽隔离结构中形成高K隔离层，在衬底表面感应出正电荷，阻碍外部多余的带电粒子进入到PD区，从而抑制因衬底中硅损伤带来的暗电流和白像素，以提高图像传感器的成像质量。
天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币，实缴资本38696.418849万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了4家企业，知识产权方面有商标信息15条，专利信息17条。
本文源自：金融界
作者：情报员
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