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金属卤化物钙钛矿半导体因其能够通过成本效益高、产量大的化学溶液工艺开发出具有卓越光电和电子性能的器件，吸引了大量关注。然而，在钙钛矿薄膜的溶液加工过程中仍然存在挑战，包括对结晶的控制有限以及形成缺陷沉积物，从而导致器件性能和可重复性不理想。锡（Sn²⁺）卤化物钙钛矿由于其固有的高空穴迁移率，具有实现高性能薄膜晶体管（TFTs）的潜力。
与研究更广泛的铅（Pb）基材料相比，Sn²⁺钙钛矿薄膜的高质量生产仍然存在挑战，因为其结晶速度较快。最近，组成工程已成为实现Sn²⁺卤化物钙钛矿薄膜高产率制造的成熟且有效的策略。这种方法不仅可以实现改善的TFT性能，具有高空穴迁移率和电流比，还可以使器件在无滞后特性和长期稳定性下可靠工作。
本文电子科技大学Huihui Zhu、Ao Liu和浦项科技大学Yong-Young Noh等人提供了前驱体制备、薄膜和器件制造与表征的实验程序。整个过程通常需要20-24小时完成。该方案要求对金属卤化物钙钛矿、钙钛矿薄膜涂布工艺、标准TFT制造及测量技术有基本了解。
Zhu, H., Reo, Y., Park, G. et al. Fabrication of high-performance tin halide perovskite thin-film transistors via chemical solution-based composition engineering. Nat Protoc (2025).
https://doi.org/10.1038/s41596-024-01101-z
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