北京
金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司、西安奕斯伟硅片技术有限公司申请一项名为“外延硅片的缺陷识别方法及装置、制造方法”的专利，公开号CN 119297100 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种外延硅片的缺陷识别方法及装置、制造方法，属于半导体制造技术领域。外延硅片的缺陷识别方法，包括：测试衬底硅片的Nano数值；将衬底硅片放入外延生长设备中进行外延生长，得到外延硅片；将外延硅片的表面划分为多个区域，并获取每个区域的Nano数值；根据每个区域的Nano数值确定外延硅片的Nano面积百分比以及每个区域的Nano变化值；如果外延硅片的Nano面积百分比大于第一阈值且存在区域的Nano变化值大于第二阈值，将外延硅片的缺陷位置与外延生长设备的支撑杆的位置进行匹配；如果匹配，判断外延硅片发生针印Pin Nano缺陷。本发明能够在外延生长过程中及时检测到Pin Nano缺陷的产生，降低生产资源的浪费。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本350000万人民币，实缴资本350000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目3次，专利信息1087条，此外企业还拥有行政许可24个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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