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上个月有报道称，三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，预计今年进入商业化生产，三星打算用于生产HBM4的DRAM芯片。
据Notebookcheck报道，三星已完成了HBM4的逻辑芯片开发工作，并启动了4nm试生产工作（用于HBM4的基础裸片），标志着向2025年下半年量产迈出了一大步。过去一段时间里，三星明显加快了HBM4的开发步伐，比原计划提前了大约半年，以便争取英伟达这类关键客户的订单，预计将用于下一代Rubin架构GPU，预计2026年上市。除了英伟达外，三星还将目光投向了微软和Meta的新一代定制芯片。
此前三星在ISSCC 2024上分享了一些技术细节，显示HBM4将提供巨大的性能提升，数据传输速率高达2TB/s，比HBM3E快了约66%。同时还将支持6.4GT/s的接口运行速度，接口位宽为2048位，最大提供48GB容量也比当前一代产品提升了约33%。三星还与台积电达成协议，共同开发HBM4，这也是双方首次在人工智能（AI）芯片领域展开合作。
除了HBM4定制化工作外，三星还将重点转向集成AI计算能力和特定数据处理功能，以满足不断变化的需求。传闻三星可能选择转向PIM技术，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。这种做法可以将处理操作转移到HBM本身，从而减轻了内存与一般处理器之间转移数据的负担。
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