ASML：中国芯片落后西方15年！

光刻机 制造巨头阿斯麦（ASML）的首席执行官克里斯托夫·富凯表示，尽管近年来中国在半导体领域取得了显著进步，但与英特尔、台积电和三星等行业巨头相比，中国的一些公司仍落后10到15年。众所周知，即使中国晶圆厂拥有一流的 DUV （深紫外）设备，也难以在经济高效的方式上与台积电的工艺技术相媲美，主要原因在于中国公司无法获得尖端的EUV（极紫外）光刻设备。

“如果禁止出口EUV，中国将落后西方10到15年，”克里斯托夫·富凯在接受NRC采访时表示，“这确实会产生影响。”

尽管有报道称中国曾订购EUV机器，但由于《瓦森纳协议》以及美国的制裁，ASML从未向中国运送过其EUV工具。不过，ASML一直在向中国运送先进的DUV光刻工具，如Twinscan NXT:2000i，这些工具能够生产5nm和7nm级工艺技术的芯片。

由于无法获得EUV设备，中国的一些企业多年来一直采用其第一代和第二代7纳米级工艺技术生产芯片。这无疑帮助中国在某些高科技领域抵御了外部压力。

同时，一些企业和研究机构意识到EUV工具不会进入国内，因此他们开始自己探索极紫外光刻技术，目的是建立自己的光刻芯片制造工具和生态系统。然而，这最多需要10到15年的时间。作为参考，ASML及其合作伙伴花了20多年的时间才从基础工作完成到商用机器的EUV生态系统建立。尽管1990年代初期/中期开发的许多技术都是已知的，但中国公司仍需投入大量时间和资源来开发和完善自己的技术。然而，等到中国半导体行业开发出低NA EUV工具时，西方芯片行业可能已经拥有了高NA EUV光刻甚至更先进的设备。

美国政府正在向ASML施压，要求其停止在中国维护和修理其先进的DUV系统，以符合针对中国半导体行业的现有制裁。然而，荷兰政府迄今尚未同意这一要求。ASML旨在保留其在中国的机器的控制权，以防止敏感信息泄露的风险，这种风险可能在中国公司接管维护工作以保持其芯片工厂正常运转时发生。

来源：半导体创芯网

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