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金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，桑德斯微电子器件（南京）有限公司申请一项名为“一种具有自对准通道和自对准接触区的半导体器件及制备”的专利，公开号CN 119170625 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，一种半导体器件，基本单元包括衬底(1)；在衬底上形成的第一电导率掺杂型缓冲层(2)；在缓冲层顶部形成的第一电导率掺杂型的一个或多个外延层(3)；第二电导率掺杂型的体区(4)，形成于最顶层的外延层；第一电导率掺杂类型的源区；第二电导率掺杂类型的体接触区，埋在源区下方；在源区(5)中形成的沟槽(16)，使电通向体接触区(6)，并且比体接触区窄，源触点(9)是与沟槽侧壁上的源区重叠的欧姆触点，体接触点(10)是与沟槽底部的体接触区重叠的欧姆触点；基本单元还包括栅极绝缘体(7)和栅极(8)；源区和体接触区通过与体区的自对准过程形成，源区和体接触区的宽度相同但小于体区宽度。
本文源自：金融界
作者：情报员
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