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金融界12月24日消息，东芯股份披露投资者关系活动记录表显示，公司先进制程的1xnm SLC NAND Flash产品的研发工作已取得阶段性进展。同时，基于48nm、55nm制程，东芯股份持续进行64Mb-1Gb的中高容量NOR Flash产品研发工作。在DRAM领域，公司将继续进行新产品的研发设计，以助力公司产品多样性发展。此外，公司以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，积极满足客户需求。
本文源自：金融界AI电报
作者：电报君
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