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金融界2024年12月17日消息，国家知识产权局信息显示，厦门钨业股份有限公司申请一项名为“晶体生长方法及晶体生长装置”的专利，公开号CN 119121382 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明属于多组分晶体制备技术领域，公开了晶体生长方法及晶体生长装置，使用纯熔体泡生法生长多组分晶体，多组分晶体为二元及以上氧化物。晶体生长装置包括炉膛、承载座、坩埚、籽晶杆、出气管、进气管以及三组环形的加热组件，炉膛包括炉体和炉盖，炉盖密封炉体的顶部开口，炉体的内部设有由保温材料围成的加热区；承载座和坩埚均设置于加热区；籽晶杆延伸至坩埚内；三组环形的加热组件设置于加热区的内壁，三组加热组件分别为自上而下间隔设置的上加热组件、中加热组件和下加热组件，坩埚位于中加热组件所围绕的中温区本发明能够避免多晶现象和内部缺陷生长出更大尺寸高质量的多组分晶体，降低生产制造成本。
本文源自：金融界
作者：情报员
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