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金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，深圳众诚达应用材料股份有限公司申请一项名为“种硅靶材及其制备方法和光学器件”的专利，公开号 CN 119082687 A，申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示，本申请涉及靶材制备技术领域，提供了一种硅靶材及其制备方法和光学器件。制备方法包括：利用气态硼烷对第一硅粉进行硼扩散处理，得到含有硼和氢的硅复合粉；将含有硼和氢的硅复合粉和第二硅粉进行球磨混合，得到混合粉；将所述混合粉热喷涂到背管上，然后机加工得到硅靶材。本申请提供的硅靶材的制备方法，通过对第一硅粉进行硼扩散处理，使气态硼烷裂解成硼原子和氢原子并通过晶界扩散进入硅粉中形成含有硼和氢的硅复合粉，作为高硼含量的母合金，使硼和硅具备相同的沉积率，从而精确控制靶材的硼含量，同时硅复合粉在热喷涂过程中会发生氢脱除释放氢气创造还原环境，因此能在常压、大气气氛下喷涂，并能防止硅氧化，降低硅靶材氧含量和电阻率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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