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金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119072115 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括衬底、位线结构、绝缘层、栅介质层及栅电极层，衬底包括多个第一沟槽和多个第二沟槽，各第一沟槽和各第二沟槽在衬底内分割出多个半导体柱，各半导体柱组成多个沿第二方向分布的半导体柱组，半导体柱组包括多个沿第一方向间隔分布的半导体柱；在平行于衬底的方向上，半导体柱的横截面的尺寸处处相等；位线结构位于半导体柱的下方，且沿第二方向延伸；绝缘层位于第一沟槽和第二沟槽的底部；栅介质层位于半导体柱组中的各半导体柱中未被绝缘层覆盖的侧壁的表面；栅电极层覆盖栅介质层的部分表面。
本文源自：金融界
作者：情报员
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