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金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，河南天璇半导体科技有限责任公司申请一项名为“制备单晶金刚石用基片台、单晶金刚石的制备方法”的专利，公开号 CN 119020855 A，申请日期为 2024年7月 。
专利摘要显示，本发明涉及 制备单晶金刚石用基片 台、单晶金刚石的制备方 法，属于单晶金刚石制备 技术领域。本发明利用铜 的高热导率特性(铜的热导率是钼的3倍)，在圆柱形凹槽内设置圆柱形铜片，可增加基片台中心部位的散热效果，可以很好 地解决微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石过程中 中心籽晶温度高、边缘籽晶温度低的问题，进而缩小生长过程 中籽晶的整体温差，维持生长温度的均匀性，提高良品率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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