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金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，成都赋仁生物科技有限公司申请一项名为“基于高熵合金等离激元的单分子阵列芯片及其制备方法”的专利，公开号 CN 119020729 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及单分子免疫检测芯片领域，具体公开了一种基于高熵合金等离激元的单分子阵列芯片及其制备方法，生产原料包括基底芯片和高熵合金镀膜材料；高熵合金镀膜材料由贵金属复合材料和增效复合金属材料按照1:0.12～3.75的质量比组成；贵金属复合材料由金和银按照1:0.08～3的质量比组成；增效复合金属材料由钌、钯、铂按照1:0.2～1.5:0～1.2的质量比组成。其优点是：能够显著提高单分子阵列芯片的信噪比，进一步提高该技术在单分子免疫分析中的准确性和可靠性。
本文源自：金融界
作者：情报员
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