“宽禁带半导体功率器件封装集成与可靠性”专题征文延期通知 ｜《电工技术学报》

“宽禁带半导体功率器件封装集成与可靠性”专题征稿

征文延期至2025年1月30日！

欢迎各位专家、学者继续踊跃投稿！

随着“双碳”进程加快和能源转型深化，能源行业在未来很长一段时间将向着清洁低碳方向发展，为了满足新形势下经济社会发展的要求，风能、太阳能等新能源发电会成为电量主体。这些清洁能源的并网、传输和利用等相关环节对于未来充分高效利用清洁能源至关重要，而电力电子装备是未来实现清洁能源并网及高效传输及利用的关键。

对于电力电子装备来说，功率半导体芯片经过封装集成形成的电力电子器件是其核心，因此，研究开发高性能的电力电子器件将成为推动能源转型的基础和关键。

近年来，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体迅速发展，基于宽禁带功率半导体芯片的功率半导体器件较传统硅功率半导体器件有望具备高频、高压、高效及耐高温的优势，但现有的封装集成技术仍然沿用传统硅电力电子器件的封装技术，这些传统封装技术引入的寄生电感较大，且散热能力不足，导致宽禁带功率半导体器件无法真正发挥其优势，已经成为制约整个产业发展的技术瓶颈。

同时，宽禁带功率半导体器件开关速度较高的特性使得部分寄生参数无法忽略，其理论模型相较传统硅器件需要进行革新，此外，其失效机理以及可靠性优化理论也有待进一步完善。

因此，结合宽禁带功率半导体器件从理论走向大规模应用过程中所面临的技术难题，掌握其客观演变规律，研究在不同应用场景下建模与可靠性优化的新理论、新方法与新技术，以提升宽禁带功率半导体器件性能与可靠性，已成为国内外专家、学者和工程人员共同关注的焦点。

面向“双碳目标”国家战略的持续需求，在新能源发电、电气化交通等新兴应用领域，对变流器的效率、功率密度、可靠性提出了越来越高的要求。以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体功率器件，具有高频、高效、高压及耐高温等优异性能，可以有效降低变流器的功率损耗和体积重量。

然而，相对于传统硅功率器件，宽禁带半导体功率器件具有更高的开关速度、热流密度、杨氏模量，导致其长期面临寄生效应重、结壳热阻大、预期寿命短、可靠性差等关键技术难题，在高功率密度封装集成与可靠性方面面临严峻挑战。因此，宽禁带半导体功率器件突破了传统硅器件的技术边界，如何构建与之匹配的封装集成与可靠运行方法，已成为国内外专家、学者和工程师共同关注的焦点。

为了促进宽禁带半导体功率器件规模化、标准化工程应用的发展，进一步繁荣学术交流、推进技术进步、共享科研成果，《电工技术学报》编辑部特邀西安交通大学王来利教授、海军工程大学肖飞教授、重庆大学冉立教授、中国科学院电工研究所宁圃奇研究员、天津工业大学梅云辉教授、华中科技大学王智强教授、合肥工业大学李贺龙教授、重庆大学曾正教授、华北电力大学赵志斌教授和浙江大学罗皓泽教授作为客座主编，主持“宽禁带半导体功率器件封装集成与可靠性”专题，特向国内外此领域的专家、学者征稿。

专题征稿范围（包括但不限于）

• 1）宽禁带半导体功率器件的多物理场建模与测试表征

• 2）宽禁带半导体功率器件的先进互连与封装结构

• 3）宽禁带半导体功率器件的高压/高温/大容量封装集成方法

• 4）宽禁带半导体功率器件的寿命模型与剩余寿命预测

• 5）宽禁带半导体功率器件的特征参量表征与检测

• 6）宽禁带半导体功率器件的可靠性设计与健康管理

• 7）人工智能在宽禁带功率半导体器件设计与优化中的应用

• 8）宽禁带半导体功率器件封装关键材料及其制备

• 9）基于宽禁带功率半导体器件的电力电子模块集成方法

• 10）宽禁带功率半导体器件的驱动、保护与控制方法

• 11）宽禁带功率半导体器件电磁噪声产生机理与抑制方法

• 12）宽禁带功率半导体器件在电能变换中的应用

征稿要求

1）高质量的综述，要求详细介绍国内外研究背景，对其他研究者的现有工作及自己的研究思路有较全面的陈述和较深入的讨论；

2）研究论文，要求设计和方法叙述清晰（包括理论计算、数值模拟、实验仿真等）；

3）重点突出，论述严谨，文字简练，避免长篇公式推导；

4）来稿请用word排版，格式参考《电工技术学报》网站投稿指南 模板

重要日期

• 论文投稿截止日期：2024年11月30日1月30日

• 论文预计刊出时间：2025年3/4月4/5月

投稿方式

请登录《电工技术学报》官网 投稿，稿件类型或者投稿栏目选择“宽禁带半导体功率器件封装集成与可靠性”专题。真诚欢迎国内外相关领域的专家学者以及国家级科研计划承担单位踊跃投稿！

特约主编

• 王来利 教授，西安交通大学，E-mail：llwang@mail.xjtu.edu.cn

• 肖 飞 教授，海军工程大学，E-mail：xfeyninger@qq.com

• 冉 立 教授，重庆大学，E-mail：li.ran@cqu.edu.cn

• 宁圃奇 研究员，中国科学院电工研究所，E-mail：npq@mail.iee.ac.cn

• 梅云辉 教授，天津工业大学，E-mail：meiyunhui@163.com

• 王智强 教授，华中科技大学，E-mail：zhiqiangwang@hust.edu.cn

• 李贺龙 教授，合肥工业大学，E-mail：helong.li@hfut.edu.cn

• 曾 正 教授，重庆大学，E-mail：zengerzheng@cqu.edu.cn

• 赵志斌 教授，华北电力大学，E-mail：zhibinzhao@ncepu.edu.cn

• 罗皓泽 教授，浙江大学，E-mail：haozeluo@zju.edu.cn

编辑部联系人

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