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金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“三维存储器及其制造方法”的专利，公开号 CN 118946161 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤：形成基底，基底包括衬底、位于衬底上的第一介质层以及沿第一方向贯穿第一介质层的第一接触结构；沉积第一导电材料于第一介质层上，形成与第一接触结构电连接的导电部；沉积第二导电材料至基底上，形成覆盖于导电部的表面的支撑部；刻蚀支撑部，形成沿第一方向贯穿支撑部且暴露导电部的沟槽；形成连续覆盖支撑部的表面和沟槽的内壁的存储层；沉积金属材料或者多晶硅材料于基底上，形成覆盖存储层的上电极。本发明无需进行用于形成存储孔的深孔刻蚀工艺，且能够使得存储结构的灵敏度、稳定性以及可靠性提升。
本文源自：金融界
作者：情报员
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