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金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，润芯感知科技（南昌）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 118929561 A，申请日期为 2023年5月。
专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成敏感材料层；在所述敏感材料层上形成牺牲层，所述牺牲层中形成有贯穿所述牺牲层的沟槽，所述沟槽用于定义空腔结构的边界；刻蚀所述沟槽底部露出的所述敏感材料层，以在所述敏感材料层的表面形成凹陷部；形成填充所述沟槽、并且覆盖所述牺牲层表面的边墙层；在所述边墙层中形成连接所述牺牲层的释放孔；通过所述释放孔去除被所述边墙层所包围的牺牲层，以在所述边墙层中形成 cavity 结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
本文源自：金融界
作者：情报员
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