北京
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金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，苏州凌存科技有限公司申请一项名为“一种半导体电容、阵列及其制备方法”的专利，公开号 CN 118841409 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体电容、阵列及其制备方法，其中，半导体电容，包括衬底，所述衬底为重掺杂的半导体材料；第一电极板，所述第一电极板直接设置在所述衬底的背面；所述衬底正面依次叠置有第一导电层、第一介电层和第二电极板；其中，所述第一导电层的电阻率小于所述衬底。本申请提供的半导体电容、阵列及其制备方法，可以在产品小型化高容值时进一步降低电容等效串联电感。
本文源自：金融界
作者：情报员
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