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金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN 118824970 A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：堆叠结构，包括交替堆叠的多个介电层和多个栅极层；虚设沟道结构，贯穿堆叠结构；保护部，位于堆叠结构的第一侧，在垂直于堆叠方向的投影面上，虚设沟道结构的至少部分投影与保护部的投影重叠；以及第一接触结构，位于保护部的远离堆叠结构的一侧，并延伸至第一栅极层，在投影面上，保护部的至少部分投影与第一接触结构的投影重叠，第一栅极层为多个栅极层中最靠近第一侧的栅极层。
本文源自：金融界
作者：情报员
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