北京
分享至
金融界2024年10月26日消息，国家知识产权局信息显示，广东晶智光电科技有限公司申请一项名为“籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法”的专利，公开号CN 118814259 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，提供一种籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法。籽晶组件包括锑化铟籽晶和夹头，锑化铟籽晶为横截面沿长度恒定的梯形，梯形的顶边长度为底边长度的1/2，梯形的高度与底边的长度相同，锑化铟籽晶的籽晶方向是<211>，其中，用于在提拉法生长锑化铟晶体接触熔体的是<211>B，锑化铟籽晶的横截面的梯形的顶边方向是<111>A，锑化铟籽晶的横截面的梯形的底边方向是<111>B；夹头包括第一夹体和第二夹体，第一夹体具有收容槽，收容槽为横截面沿长度恒定的与锑化铟籽晶的横截面相同的在底边开口的梯形，第二夹体具有配合平面，配合平面封闭收容槽的梯形的开口的底边，第一夹体的材料的导热率低于第二夹体。锑化铟晶体生长的方法采用前述的籽晶组件提拉法生长锑化铟晶体。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
