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金融界 2024 年 10 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，无锡市乾野微纳科技有限公司取得一项名为“一种高压超结 MOSFET 结构”的专利，授权公告号 CN 221861666 U，申请日期为 2023 年 12 月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种高压超结 MOSFET 结构，涉及半导体器件技术领域。所述高压超结 MOSFET 结构包括：N‑外延层，所述 N‑外延层的上表面连接有两个对称设置的 P 体区，两个 P 体区的上表面均开设有安装槽，安装槽内连接有 N+体区；第一栅极，所述第一栅极位于 P 体区的上方，且第一栅极的两端与两个 N+体区连接；浮岛结构，所述浮岛结构的数量为两个，两个浮岛结构均与 N‑外延层连接，且浮岛结构包括 P+体区域，所述 P+体区域的数量为两个，两个 P+体区域分连接在与 N‑外延层相对的两个侧面，且两个 P+体区域与 N‑外延层之间形成耗尽层，同时两个 P+体区域的外表面均连接有第二栅极。本实用新型提供的高压超结 MOSFET 结构具有减小导通电阻的优点。
本文源自：金融界
作者：情报员
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