浙江
存储器解决方案提供商 Kioxia Corporation 今天宣布，该公司的研究论文已被 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 接收，该会议将于 12 月 7 日至 11 日在美国旧金山举行，是一个享有盛誉的国际会议。
除了最先进的三维（3D）闪存技术 BiCS FLASH 之外，Kioxia 还擅长于新兴存储器解决方案的研究。 公司不断努力，以创新的存储器产品满足未来计算和存储系统的需求。
现有的计算系统利用 DRAM 作为主存储器设备，使 CPU 能够快速处理数据，同时利用闪存存储大量数据。 Kioxia 正在带头研发存储类内存 (SCM)，这是一种在半导体存储器层次结构中介于 DRAM 和闪存之间的内存解决方案，旨在处理比 DRAM 更大的数据量和比闪存更高的速度。
在 IEDM 上，Kioxia 将分别针对这三个半导体存储器层推出尖端技术：利用氧化物半导体的新型 DRAM，重点是降低功耗；适用于 SCM 应用的更大容量 MRAM；以及具有出色位密度和性能的新型 3D 闪存结构。
新兴存储器技术：
氧化物半导体沟道晶体管 DRAM (OCTRAM)：
该技术由 Nanya Technology 和 Kioxia Corporation 共同开发。 这两家公司开发的垂直晶体管通过改进制造工艺提高了电路集成度。 这两家公司通过利用氧化物半导体发挥晶体管的特性，实现了极低的漏电流。 这有可能降低人工智能和 5G 后通信系统以及物联网产品等广泛应用中的功耗： 采用 4F2 架构的氧化物半导体通道晶体管 DRAM (OCTRAM)
高容量交叉点 MRAM 技术：
该技术由 SK hynix 公司和 Kioxia 公司联合开发。 通过这项技术，这两家公司将适用于大容量的选择器与磁隧道结的单元技术相结合，并应用交叉点型阵列的精细加工技术，在 20.5 纳米的单元半间距范围内实现了 MRAM 有史以来最小的单元读/写操作。 随着单元的微型化，存储器的可靠性往往会降低。 这两家公司开发了一种潜在的解决方案，即利用选择器的瞬态响应和减少读出电路寄生电容的新读出方法。 这项技术可实际应用于人工智能和大数据处理。
论文标题： 用于 64 Gb 交叉点 MRAM 的世界上最小的 1Selector-1MTJ 单元在低读取干扰率下的可靠存储器操作
采用水平单元堆叠结构的下一代 3D 存储技术：
Kioxia 开发了一种新的 3D 结构，以提高可靠性并防止 NAND 型单元性能下降。 在传统结构中，当堆叠层数增加时，性能通常会下降。 与垂直排列 NAND 型单元的传统结构相比，新结构通过堆叠方式水平排列 NAND 型单元。 这种结构可以低成本实现高位密度和高可靠性的三维闪存。
论文标题： 先进水平通道闪存的卓越可扩展性，适用于未来几代 3D 闪存
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