​中企突破造芯核心辅材，目标直指5nm工艺，欧美日韩垄断被打破

中企突破造芯核心辅材，目标直指5nm工艺，欧美日韩的垄断被打破！

在美国的步步紧逼下，中国半导体相继突破了芯片研发设计、制造、EDA软件等等造芯环节，但过程中遇到的最大难题依旧是“光刻设备”，美国也认为只要压住ASML不出货，中企的芯片工艺就很那升级。

在麒麟9000S芯片回归后，华为的高端芯片供应问题得到解决，美国也自知“芯片规则”失效，只能将限制重心转移到中断光刻机出货以及售后服务上，但荷兰目前已经变卦了，开始用心维护ASML的权益了。

就在这样的背景之下，让拜登团队更糟心的事情来了，9月份工信部公布了一个重磅消息，我国成功研制分辨率≤65nm的氟化氩光刻机，套刻的精度≤8nm，解读下来，这实际上就是市面上所说的DUV光刻机，造芯最高精度达到了65nm水准。

这就意味着国产的光刻设备，已经从4年前的90nm提升到65nm，配合上华为自研的“芯片堆叠”工艺，这也就能够很好的解释华为比肩7nm性能的麒麟9000S是怎么来得了，这对于中国半导体而言，算是一个至关重要的里程碑。

有了零的突破，按照中国科技领域的惯例，后续肯定会迎来井喷式的发展，而欧美日韩最不愿意看到的情况终究是发生了，近期中国光谷正式发表了一篇文章，中企突破的技术正式打破日企对核心辅材的垄断。

文章中提到，武汉的太紫微观公司推出的T150A光刻胶产品，已经通过半导体工艺认证，正式进入到了量产阶段，这就意味着在造芯层面，我国在关键辅材光刻胶上，不再依赖日本的进口了。

而光刻胶主要作用是“显影”，没有这一层辅材的话，光刻机是没有办法直接将电路图刻录上去的，太紫微观突破的技术，虽无法和日企的相提并论，但也已经是世界一流水准了，根据官方介绍，T150A光刻胶分辨率达到了120nm，是能够应用在5nm及以下工艺芯片制造的。

而目前国内的需求工艺主要集中在中低端，国产的光刻胶肯定是能够满足需求的，而这也释放出了一个重要的信号，我国的目标已经朝着5nm工艺推进了，且想要实现的是全产业链的布局。

这对于日企而言绝对是“噩梦”，光刻胶的实际需求并不多，我们一开始并没有想着突破，一直提倡的也都是“全球化布局”，愿意使用全球供应链解决问题，但日企却听从美国的建议，试图对我们实施造芯辅材断供。

如今被中国国产化了，一旦进入国际市场的话，后续光刻胶也将变成白菜价出售，拜登团队的实施的“芯片规则”，终将成为后世的笑柄，可以说是直接把美国的国运给赌没了，没有限制住中国半导体，反倒美企陷入了绝境当中。

华为顶住压力为自己争取权益，也顺势带动了自主产业链的发展，在有了这样的成功案例后，给中企树立起了更大的信心，彻底摒弃了“造不如买、买不如租”的思维，企业更加注重尖端技术的研发。

拜登团队和他的盟友们，终将是作茧自缚，对此你们是怎么看的呢？