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金融界2024年10月9日消息，国家知识产权局信息显示，无锡摩芯半导体有限公司申请一项名为“一种提高FLASH的Program效率的方法”的专利，公开号CN 118747067 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种提高FLASH的Program效率的方法，涉及计算机技术领域，该方法中包括支持流水编程和命令编程两种模式；通过将总线与Flash控制器内部的写缓存FIFO进行连接，Flash控制器同时对FLASH0和FLASH1进行连接控制，且Flash控制器里设置有写缓存FIFO，从而可以配置写数据Length以及灵活的支持64bit～4096bit的编程；一个Flash控制器对应两个Flash。该提高FLASH的Program效率的方法采用乒乓编程、流水编程的编程方案，提供了灵活的编程Length配置，更高的编程效率，因此能够有效缩短总线写数据占用的时间，提高了用户体验。
本文源自：金融界
作者：情报员
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