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Rambus 详细介绍了其下一代HBM4内存控制器，与现有的 HBM3 和 HBM3E 解决方案相比，HBM4 将实现显著提升。随着 JEDEC 逐步敲定 HBM4 内存规格，我们获得了下一代解决方案的第一手细节。 HBM4 内存解决方案主要面向人工智能和数据中心市场，将继续扩展现有 HBM DRAM 设计的功能。
从细节入手，Rambus 发布了其 HBM4 内存控制器，每引脚速度超过 6.4 Gb/s，应该比第一代 HBM3 解决方案更快，同时比采用相同 16-Hi 堆栈和 64 GB 最大容量设计的 HBM3E 解决方案提供更多带宽。 HBM4 的起始带宽为 1638 GB/s，比 HBM3E 高 33%，比 HBM3 高 2 倍。
目前，HBM3E 解决方案的运行速度高达 9.6 Gb/s，每个堆栈的带宽高达 1.229 TB/s。 随着 HBM4 的推出，内存解决方案将提供高达 10 Gb/s 的速度和每个 HBM 接口高达 2.56 GB/s 的带宽。 这将是 HBM3E 的 2 倍多，但 HBM4 内存的全部功能还需要一段时间才能显现，只有在产量提高后才能使用。 HBM4 内存解决方案的其他功能包括：ECC、RMW（读取-修改-写入）、错误擦除等。
据报道，SK Hynix 目前已开始量产其容量高达 36 GB、速度为 9.6 Gbps 的 12 层 HBM3E 内存，而其下一代 HBM4 内存预计将于本月推出。 与此同时，三星预计将在 2025 年底开始量产 HBM4 内存，并有望在本季度推出。
目前，NVIDIA 的 Rubin GPU 预计将于 2026 年面世，它将成为首个支持 HBM4 内存的人工智能平台，而 Instinct MI400 预计也将采用下一代设计，但 AMD 尚未证实这一点。
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