4月韩国内存大厂SK海力士与台积电签署备忘录(MOU),双方合作加强下代HBM生产和先进封装,合作开发生产HBM4于2026年量产后,最近SK海力士与台积电合作越来越紧密,市场又传出SK海力士也会参加台积电创新开放平台论坛。
韩国媒体BusinessKorea报道,6月SK集团董事长崔泰源访台,会见前台积电董事长刘德音,强调双方HBM合作的重要性,并表示“让我们为造福人类的人工智能时代携手合作”,愿景重点就是用先进半导体技术推动人工智能时代革命。
韩国半导体业界消息,SK海力士9月25日会参加台积电美国加州圣克拉拉开放创新平台(OIP)论坛,现在已是半导体业的重要活动,硅知识产权 (IP) 公司、电子设计自动化 (EDA) 公司和IC设计公司都会参加,促进合作伙伴的创新和关系。日前三星也传出与台积电合作HBM4的消息,故SK海力士此举认为是反制三星。
SK海力士为首次参加OIP论坛,视为两家公司加强合作的象征。SK海力士目的在扩大半导体生态系统,并展示下代半导体技术,计划发布2.5D先进封装成果,提高高带宽内存 (HBM) 品质和可靠性,另系统级封装 (SiP) 层级合作,使用SK海力士独特MR-MUF的HBM品质与可靠性。
SK海力士也会设摊,展示AI内存产品如第五代HBM(HBM3E)、图像DRAM(GDDR7)内存、LPCAMM2等。英伟达也会参加OIP论坛,其他还有微软、AMD、Arm等全球大型科技公司都将与会。
9月25日美国论坛后,台积电10月在日本东京、11月台湾新竹与中国北京、荷兰阿姆斯特丹、以色枚举办OIP论坛,促进半导体产业全球合作和创新。
(首图来源:SK海力士)
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