英飞凌对中国氮化镓芯片公司发起337调查申请

据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定于7月26日向美国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控中国氮化镓（GaN）芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其专利，违反了美国337条款。

中国江苏英诺赛科（苏州）科技股份有限公司、中国江苏英诺赛科（苏州）半导体有限公司、中国广东英诺赛科（珠海）科技有限公司、美国Innoscience America, Inc. of Santa Clara, CA为列名被告。

英飞凌科技股份公司在当地时间26日发布消息称，扩大了2024年7月23日在加州北区地方法院审理的诉讼，增加了对珠海英诺赛科科技有限公司、Innoscience America,Inc.及其附属公司的索赔，指控其侵犯了英飞凌拥有的另外三项涉及氮化镓技术的专利。此外，英飞凌同时向美国国际贸易委员会（USITC）提起诉讼，其中包含涉及诉讼涉及的相同四项专利的法律索赔。

英飞凌寻求对侵犯其拥有的氮化镓技术的美国专利的永久禁令。据英飞凌官方消息称，该专利权涵盖了氮化镓功率半导体的核心方面，这对英飞凌专有的“氮化镓功率晶体管”（proprietary GaN power transistors）的性能和可靠性的实现至关重要。

2024年3月14日，英飞凌已向美国加州北区地方法院对英诺赛科提起专利侵权诉讼。6月4日，英飞凌又向德国慕尼黑地方法院对英诺赛科及其分销商提起相应诉讼，并成功申请了慕尼黑地方法院的初步禁令，禁令于今年6月12日发布。根据该法院命令，英诺赛科不得在纽伦堡的“PCIM Europe2024”展会上展示涉侵权产品。

根据Frost & Sullivan公司的资料，2023年，英诺赛科在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一，市场份额达33.7%。然而其招股书显示，近三年其净利润连年亏损。

英诺赛科自2022年开始积极扩充氮化镓产品的全球销售网络，开拓海外市场，计划在海外设立综合研发及生产中心，并建立销售中心。然而这需要大量的技术开发工作，在持续亏损之下，不得不削减了研发费用。而国外竞争对手也频频发难。除了英飞凌多地提诉，5月美国氮化镓公司宜普电源转换公司（EPC）也称其四项美国专利遭到英诺赛科侵权。

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