北京
分享至
金融界2024年6月26日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“形成半导体器件的方法”，公开号CN202410203689.1，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，本文公开了用于堆叠器件结构的偶极工程技术。根据本公开实施例的各个方面，示例性偶极工程技术包括：（1）至少形成具有不同图案并且覆盖一些晶体管（但不是其它晶体管）的栅极介电层的两个图案化偶极掺杂剂源层；（2）实施热驱入工艺（例如，偶极驱入退火）；以及（3）在去除偶极掺杂剂源层之后，形成用于晶体管的栅电极，其中相同的栅电极材料用于晶体管。图案化偶极掺杂剂源层的厚度和/或材料特性（例如，偶极掺杂剂）和/或热驱入工艺的参数可以配置为实现期望的阈值电压。这样的技术可以提供2N个阈值电压（Vt），其中N是形成在晶体管的栅极介电层上以调整其阈值电压的图案化偶极掺杂剂源层的数量。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
