【硬件资讯】AI需求推动内存进步！HBM3E今年下半年将成主流，三星另辟蹊径，推出高速LPDDR内存！

新 闻①： AMD和英伟达AI芯片发展迅猛，加速HBM3E今年下半年将成主流

在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的影响下，近两年HBM产品发展逐渐加速，也推动着存储器厂商的收入增长，而新一代HBM3E也逐渐成为了各种新款芯片的搭配首选。今年英伟达带来了基于Blackwell架构的新产品，首发的B200和GB200都选用了HBM3E。 有消息称 ，AMD今年将推出改用4nm工艺制造的Instinct MI350系列，搭配的显存也将换成HBM3E。

据TrendForce 报道 ，AMD和英伟达都加快了主力人工智能（AI）应用芯片的开发步伐，而且都在规划采用更高规格的HBM产品，以进一步提升性能。从目前情况来看，2024年将会有三大趋势：

• HBM3将进阶到HBM3E - 预计英伟达下半年开始扩大搭载HBM3E的H200出货，取代H100成为主流，B200和GB200也会采用HBM3E。AMD年底前会带来Instinct MI350系列，在此之前还会有Instinct MI32x系列，均选定了HBM3E。

• HBM容量持续增大 - 目前市场主流的H100搭载的是80GB的HBM3，至2024年底改用HBM3E的新品，容量将提升至192GB到288GB。

• HBM3E将从8层往12层堆叠发展 - 英伟达首批Blackwell架构产品都采用了8层堆叠的HBM3E，到了明年将引入12层堆叠的HBM3E。AMD今年的Instinct MI350系列，以及明年的Instinct MI375系列，都将采用12层堆叠的HBM3E，将容量提升至288GB。

此前三星已 官宣 了业界首款拥有12层堆叠的HBM3E，传闻SK海力士在今年2月已经向英伟达 发送 了新款12层堆叠HBM3E样品，以进行产品验证测试。另外有趣的是，报道中还提及了之前没有出现的AMD Instinct MI375系列。

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随着去年AI技术的快速发展，AI加速卡大行其道，带动了当年的主流加速卡显存选择——HBM3的疯狂增长，之前我们讲过，去年一年HBM内存的销售额，超过了历来的总合。而在今年，随着AMD MI350系列以及NVIDIA的Blackwell架构新卡不约而同的选择了HBM3E，新的HBM3E内存或将成为新的加速卡主流。另外值得一提的是，目前HBM3E最成熟的海力士依旧存在产能和良率的问题，要想成为主流，这个问题一定要解决，不知道几时能实现呢？？

新 闻 ②： 三星推出速率达10.7Gbps的LPDDR5X，专为人工智能应用优化

三星 宣布 ，已开发出其首款速率达10.7Gbps的LPDDR5X DRAM。三星表示，新款LPDDR5X是未来端侧人工智能（AI）的理想解决方案，预计将在PC、加速器、服务器和汽车领域中得到更广泛的应用，将巩固其在低功耗DRAM市场的技术卓越地位。

三星电子内存业务内存产品规划执行副总裁YongCheol Bae表示：“随着对低功耗、高性能内存需求的增加，LPDDR DRAM的应用领域有望从主要的移动领域扩展到PC、加速器、服务器和汽车等其他领域，传统上说，它们需要更高性能和可靠性，三星将通过与客户的密切合作，不断创新，为即将到来的设备端人工智能时代提供更优的产品。”

速率10.7Gbps的LPDDR5X采用了12nm级别的工艺技术，实现了三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸。相比于上一代产品，这次的新款LPDDR5X在性能上提高了25%以上，容量也提升了30%以上，同时还将移动DRAM的单封装容量扩展到了32GB，成为端侧人工智能时代里高性能、大容量和低功耗内存的理想解决方案。

三星还采用了专门的节能技术，可根据工作负载频率调整和优化供电模式，以及扩展低功耗模式频段从而延长低能耗工作时长。这些改进使得速率10.7Gbps的LPDDR5X在能效上有了进一步的提升，相比上一代产品提高了25%，延长了移动设备的电池续航时间，并降低了处理服务器处理数据的能耗，最大限度地降低了总体拥有成本（TCO）。

在与设备供应商完成验证后，三星计划在今年下半年开始量产速率10.7Gbps的LPDDR5X。

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而被HBM世界遗忘的，就是三星了，至今它也没拿下NVIDIA加速卡的HBM内存订单。但三星也是懂得给自己找新方向的，既然做AI芯片的厂商不带我玩，我自己做AI芯片不就行了？用自己家的芯片搭配自己家的内存不就好了？三星不久前宣布推出Mach-1芯片，是定位轻量级的AI芯片，并且已经和韩国本土科技企业达成了合作，而这个Mach-1芯片就是用LPDDR内存的！至此，已成闭环，并没有多少AI芯片需求LPDDR内存，三星这款针对AI芯片特化的LPDDR内存，很大可能就是为了自家的Mach-1芯片准备的，不知道这个芯片搭配这个新的特化内存，会有怎样的表现呢？

新 闻 ③ ： 美光宣布量产232层QLC NAND闪存，将供应给客户端和数据中心产品

美光 宣布 ，已开始量产232层QLC NAND闪存 ，并已经在选定的关键SSD中发货。除了消费客户端产品外，还会向企业存储客户及OEM厂商提供对应的产品，比如Micron 2500 NVMe SSD。

美光表示，这次四层单元的NAND闪存新品是一项突破性的成就，提供了前所未有的层数和密度，可实现比以往NAND闪存更高的存储密度和设计灵活性，并缩短了访问时间。美光232层QLC NAND闪存通过利用以下重要功能，为移动、客户端、汽车、边缘和数据中心存储的用例提供无与伦比的性能，包括：

• 全球位密度最高的OEM量产型NAND闪存，密度比起自家上一代176层QLC NAND闪存提高了30%。

• 业界领先的位密度，领先于竞争对手的最新产品，结构更为紧凑，相比提升了28%。

• 业界领先的NAND闪存I/O接口速度，达到了2400 MT/s，比上一代提高了50%。

• 读取性能比上一代176层QLC NAND闪存提高了24%。

• 写入性能比上一代176层QLC NAND闪存提高了31%。

存储解决方案和定制企业级SSD设备制造商Pure Storage的总经理Bill Cerreta表示，美光的232层QLC NAND闪存是其大容量DirectFlash模块的关键，在美光的推动下，让Pure Storage在2028年之前完成取代数据中心所有 机械硬盘 的目标上又向前迈进了一步。

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额……也不是说AI进步和数据中心需求带来的都是好东西，数据中心巨大的存储要求，带来了这种容量特化的新NAND芯片。其实我们多次吐槽过现在NAND的叠层发展，除了容量之外可以说是全面劣化。而这次的产品，不光是向数据中心出货，家用市场依旧会是受害者之一，甚至我觉得数据中心可能看不上这种东西……

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