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据韩国出版物《Hankyung》报道，三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），预计将提供 290 层结构，比该公司于 2022 年首次推出的 236 层第八代 V-NAND 有进一步的提高。
据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现 290 层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。
报道第 9 代 V-NAND 的同一消息来源还称，该公司计划在 2025 年初推出其后续产品--第 10 代 V-NAND。第 10 代 V-NAND 闪存预计将达到 430 层，比第 9 代 V-NAND 闪存增加 140 层（第 9 代 V-NAND 闪存比上一代增加 54 层）。
这将使三星与其竞争对手 Kioxia、SK Hynix、美光科技和 YMTC 重新走上正轨，向 2030 年实现 1000 层 3D NAND 闪存的宏伟目标发起冲击。
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